N-type material- majority carriers would be in hindi N प्रकार के अर्धचालक में पाए जाते हैं ? N प्रकार के पदार्थ में अधिकांश वाहक ?
प्रश्न – In N-type material- majority carriers would be:
N प्रकार के पदार्थ में अधिकांश वाहक………….होंगे।
(अ) electrons/इलेक्ट्रॉन (ब) holes /छिद्र
(स) dopants /डोप (द) slower /और धीमे
Ans : (अ) N प्रकार के पदार्थ में अधिकांश वाहक इलेक्ट्रॉन होगें N प्रकार के अर्द्धचालक में ऊष्मीय ऊर्जा के कारण अर्द्धचालक में होल्स तथा स्वतन्त्र इलेक्ट्रॉन भी उत्पन्न होते है परन्तु डोपिंग की क्रिया से केवल स्वतन्त्र इलेक्ट्रॉन ही उत्पन्न होते है। डोप किये गये जरमेनियम में डोपिंग के कारण स्वतन्त्र इलेक्ट्रॉन की संख्या होल्स की संख्या से बहुत अधिक होती है। इसी कारण से N प्रकार अर्द्धचालक में मुक्त इलेक्ट्रॉन को मेजॉरिटी कैरियर तथा होल्स को माइनॉरिटी कैरियर कहते है।
- What causes the depletion region?
अवक्षय क्षेत्र किस कारण बनता है?
(अ) barrier potential / रोधिका विभव
(ब) dffiusion/विसरण
(स) doping/डोपन
(द) ions/आयन
Ans: (ब) अवक्षय क्षेत्र विसरण के कारण बनता है सन्धि के पास इलेक्ट्रॉन एवं होल्स के संयोग से एक आवेश रहित क्षेत्र का निर्माण होता है जिसे अवक्षय क्षेत्र कहते है अवक्षय का अर्थ है कि इस स्थान पर मोबाइल आवेश वाहक नहीं होता है। चूँकि इस क्षेत्र में केवल अचल आवेश वाहक ही रहते है जिस पर विद्युत आवेश होता है।
2. A P-N junction depicts a closed switch when it:
एक P-N जंक्शन, बंद स्विच दर्शाता है जब-
(अ) is reversed biased
यह उत्क्रमित (रिवर्स) अभिनति हो
(ब) cannot overcome its barrier potential
यह अपनी रोधिका विभव दूर नहीं कर सकता
(स) has a wide depletion region
इसका एक विस्तृत अवक्षय क्षेत्र हो
(द) has a low junction resistance
इसका निम्न जंक्शन प्रतिरोध हो
Ans : (द) एक P-N जंक्शन, बन्द स्विच दर्शाता है जब इसका निम्न जंक्शन प्रतिरोध है। एक अर्द्ध युक्ति होने के कारण P तथा N अर्द्ध खण्डों का कुछ अपना प्रतिरोध होता है। अग्र अभिनति पर सन्धि रोक की समाप्ति के बाद भी यह प्रतिरोध परिपथ का कार्य करता रहता है तथा जब डायोड को पश्च अभिनति किया जाता हैद्य तो इसकी सन्धि रोधक के बढ़ते जाने के कारण परिपथ में एक प्रभावी प्रतिरोध कार्य करता है।
3. In p type semiconductor material, minority carriers would be:
P प्रकार के अर्धचालक पदार्थ में अल्पांश वाहक ………..होंगे।
(अ)holes/छिद्र (ब) dopants/डोप
(स) slower/और धीमे (द) electrons/इलेक्ट्रॉन
Ans : (द) च् प्रकार के अर्द्धचालक पदार्थ में अल्पांश वाहक इलेक्ट्रॉन होंगे P प्रकार अर्द्ध चालक में विवरों की संख्या मुक्त इलेक्ट्रॉन की संख्या से अधिक होती है। P प्रकार अर्द्धचालक पदार्थ में होल मेजॉरिटी कैरियर तथा मुक्त इलेक्ट्रॉन माइनारिटी कैरियर कहलाता है तथा P प्रकार अर्द्धचालक क्रिस्टल में धनात्मक होल गतिशील होते है। च् प्रकार के अर्धचालक पदार्थ में मेजॉरिटी कैरियर वाहक होल्स होते है।
4. When is a P-N junction formed?
P-N जंक्शन कब बनता है?
(अ) In a large reverse biased region
विस्तृत उत्क्रमित (रिवर्स) अभिनति क्षेत्र में
(ब) In a depletion region/अवक्षय क्षेत्र में
(स) Whenever there is forward voltage drop
जब भी अग्रेषित वोल्टता का त्यजन हो
(द) The point at which two opposite doped materials
come together /उस बिंदु पर जब दो विपरीत डोप पदार्थ एक साथ आ जाएं
Ans : (द) P-N जंक्शन तब बनता है जब उस बिन्दु पर जब दो विपरीत डोप पदार्थ एक साथ आ जाएं सामान्य ताप पर P-टाइप क्रिस्टल में होल्स की संख्या स्वतन्त्र इलेक्ट्रॉन की संख्या से अधिक होती है तथा N-टाइप क्रिस्टल में स्वतन्त्र इलेक्ट्रॉन की संख्या अधिक होती है। जब P-टाइप पदार्थ का क्रिस्टल किसी N-टाइप पदार्थ के क्रिस्टल से स्पर्श करता है तब दोनों पदार्थों के मध्य का इण्टरफेस P-N सन्धि कहलाता है। P-N सन्धि की चैड़ाई लगभग 10-4 सेमी. होती है।
5. Elements with 1, 2 or 3 valence electrons usually make excellent :
1, 2 या 3 संयोजक इलेक्ट्रॉन वाले तत्व प्रायः उत्कृष्ट-
(अ) conductor /चालक बनाते हैं ।
(ब) semiconductor /अर्द्ध चालक बनाते हैं
(स) neutral /उदासीन चालक बनाते हैं
(द) insulator /विद्युत रोधक बनाते हैं
Ans : (अ) 1, 2 या 3 संयोजक इलेक्ट्रॉन वाले तत्व प्रायः उत्कृष्ट चालक बनाते है।7. Ionçation within a P-N junction causes a layer on each side of the barrier called the:
P-N जंक्शन के भीतर आयनीकरण के कारण रोधक के प्रत्येक पक्ष पर एक परत बनती है, जिसे ……………कहते हैं।
(अ) barrier voltage/रोकध का वोल्टता
(ब) junction/जंक्शन
(स) depletion region/अवक्षय क्षेत्र
(द) forward voltage /अग्रेषित वोल्टता
Ans : (स) P-N जंक्शन के भीतर आयनीकरण के कारण रोधक के प्रत्येक पक्ष पर एक परत बनती है जिसे अवक्षय क्षेत्र कहते है सन्धि के पास इलेक्ट्रॉन एवं होल्स के संयोग से एक आवेश रहित क्षेत्र का निर्माण होता है जिसे अवक्षय क्षेत्र कहते है अवक्षय का अर्थ है कि इस स्थान पर मोबाइल आवेश वाहक नहीं है चूँकि इस क्षेत्र में केवल अचल आवेश वाहक होते है जिन पर विद्युत आवेश होता है। अतः इसे स्पेस-चार्ज भी कहा जाता है।
8. Which material may also be considered a semiconductor element?
किस पदार्थ को अर्धचालक तत्व भी माना जा सकता है?
(अ) ceramic /सिरेमिक (ब) mica /अभ्रक
(स) carbon /कार्बन (द) argon/आर्गन
Ans : (स) कार्बन पदार्थ को अर्द्धचालक तत्व भी माना जा सकता है। जिसके बाहरी कोश में इलेक्ट्रॉनों की संख्या 4 होती है।
9. Intrinsic semiconductor material is characterçed by a valence shell of how many electrons?
नैज (इन्ट्रिन्जिक) अर्धचालक पदार्थ कितने इलेक्ट्रॉन वाले संयोजक कोश द्वारा वर्णित होता है?
(अ) 2 (ब) 6
(स) 1 (द) 4
Ans : (द) नैज (इन्ट्रिन्जिक) अर्धचालक पदार्थ 4 इलेक्ट्रॉन वालेद्यद्य संयोजक कोश द्वारा वर्णित होता है। सिलिकॉन अथवा जर्मेनियम का शुद्ध क्रिस्टल जिनमें केवल मूल पदार्थ के ही परमाणु है नैज अर्धचालक कहलाता है। इस अर्धचालक में समस्त परमाणु परस्पर शक्तिशाली बन्धों द्वारा जुड़े रहते है क्रिस्टल का तापमान बढ़ने पर कोई बन्ध शक्तिहीन होकर टूट सकता है। जिससे इलेक्ट्रॉन होल युग्म उत्पन्न होता है।
10.When an electron jumps from the valence to the conduction band] it leaves a gap- What is this gap called ?
जब कोई इलेक्ट्रॉन संयोजक कोश से चालन बैंड में जाता है, यह एक अंतराल छोड़ देता है। इस अंतराल को क्या कहते है?
(अ) recombination/पुनर्योजन
(ब) energy gap/ऊर्जा-अंतराल
(स) electron hole pair/इलेक्ट्रॉन छिद्र युग्म
(द) hole/छिद्र
Ans : (द) जब कोई चालक इलेक्ट्रॉन संयोजक कोश से चालन बैण्ड में जाता है यह एक अन्तराल छोड़ देता है। इस अन्तराल को छिद्र कहते है। होल एक धनात्मक आवेश की भाँति व्यवहार करता है तथा अपने आस-पास आने वाले इलेक्ट्रॉन को आकर्षित करने की क्षमता रखता है। शुद्ध जर्मेनियम या सिलिकॉन में ऊष्मीय ऊर्जा द्वारा उत्पन्न इलेक्ट्रॉन एवं होल की संख्या बराबर होती है क्योंकि एक इलेक्ट्रॉन मुक्त होने पर एक होल उत्पन्न होता है।