1. In Wien bridge the output frequency is determined by.
वेन सेतु में, आउटपुट आवृत्ति का निर्धारण इसके द्वारा किया जाता है –
(अ) R-C combination / R-C संयोजन
(ब) R- L combination / R-Lसंयोजन
(स) R-L-C combination / R-L-C संयोजन
(द) L-C combination / L-C संयोजन
Ans : (अ)
2. Which of the following bridges is frequency sensitive ?
निम्न में से कौन सा सेतु आवृत्ति सुग्राही है?
(अ) Wheatstone / व्हिट स्टोन (ब) Maxwells / मैक्सवेल
(स) Andersons / एन्डरसन (द) Wien / वेन
Ans : (द) वेन ब्रिज सामान्यतः आवृत्ति मापन में प्रयुक्त होता है, तथा इसका प्रयोग उच्च सुग्राहिता के साथ अज्ञात कैपासिटेन्स के मापन में होता है।
3. The ballistic galvanometer is usually lightly damped so that.
प्राक्षेपिक गैल्वेनोमीटर सामान्यतः धीमे अवमंदित होता है जिससे………….
(अ) it may oscillate / यह दोलन कर सके
(ब) it may remain stable / यह स्थिर बना रह सके
(स) amplitude of the first swing is large
प्रथम दोलन का आयाम बड़ा हो
(द) amplitude of the first swing is small
प्रथम दोलन का आयाम छोटा हो
Ans : (अ) प्राक्षेपित गैल्वेनोमीटर सामान्यतः धीमे अवमंदित होता हैद्य जिससे यह दोलन कर सके। प्रक्षेपित गैल्वेनोमीटर में यह प्रथम प्रक्षेप (throw) उसमें से प्रवाहित विद्युत की राशि अर्थात् आवेश (charge) के समानुपाती होता है तथा इस प्रक्षेप का समय एक दोलन (oscillation) के पिरियड से भी कम होता है।
4. A PMMC instrument can be used as a fluxmeter by.
PMMC यंत्र को फ्लक्समापी के रूप में प्रयोग ……….. किया जा सकता है-
(अ) using a some resistance shunt
कुछ प्रतिरोधक शंट का प्रयोग करके
(ब) removing the control springs
कंट्रोल स्प्रिंग को हटाकर
(स) making the control springs of large moment of intertia बड़े जड़त्व आघूर्ण वाला कंट्रोल स्प्रिंग बनाकर
(द) using a high series resistance
उच्च क्रम का प्रतिरोधक प्रयोग करके
Ans : (अ) PMMC यंत्र को फ्लक्समापी के रूप में प्रयोग कुछ प्रतिरोधक शंट का प्रयोग करके किया जा सकता है।
5. B-H curve can be used for determination of-
B-H वक्र का प्रयोग इसके निर्धारण ……….. हेतु किया जाता है-
(अ) hysteresis losses / हिस्टेरेसिस हानि
(ब) iron losses / लौह हानि
(स) eddy current losses / भंवर-धारा हानि
(द) both hysteresis losses and iron losses
हिस्टेरेसिस हानि व लौह हानि, दोनों ही
Ans : (द) B-H वक्र का प्रयोग हिस्टेरेसिस हानि व लौह हानि दोनों के निर्धारण हेतु किया जाता है। प्रेरण फ्लक्स B के चुम्बकीय बल या क्षेत्र सामर्थ्य H के पश्चगामी गुण को चुम्बकीय हिस्टेरीरिस कहते हैं। हिस्टेरीसिस में चुम्बकीय उत्क्रमण (magnetism reversal) पर कुछ ऊर्जा क्षय (energy dissipated) हो जाती है।
6. When n-channel depletion type MOSFET are used in enhanced mode.
जब n-चैनेल अवक्षय एम.ओ.एस.एफ.ई.टी. (MOSFET) उन्नत मोड में प्रयुक्त होता है, तब-
(अ) the gate will be positive / गेट धनात्मक होगा
(ब) the gate will be negative / गेट ऋणात्मक होगा
(स) the gate will be ground level
गेट भूस्तरीय (ground level) होगा
(द) the gate will be undetermined
गेट अनिर्धारित होगा
Ans : (अ) जब n-चैनेल अवक्षय एम.ओ.एस.ई.टी. (MOSFET) उन्नत मोड में प्रयुक्त होता है तो गेट धनात्मक होता है। शून्य बायस आपरेशन पर यह मॉसफेट VGS के निगेटिव मान पर डिपलीशन मोड में तथा पॉजिटिव VGS पर इन्हैन्समेन्ट मोड में ऑपरेट होता है।
7. Which of the following statements is not true regarding FET ?
1. It has high input impedance .
2. It is less noisy than bioplar transistor .
3. It has large (gain X bandwidth)
निम्नलिखित कथनों में एफ.ई.टी. (FET) के संदर्भ में कौन सा कथन असत्य है?
1. इसमें उच्च इनपुट प्रतिबाधा होती है।
2. द्विध्रुवी ट्रांजिस्टर से कम कोलाहलकारी है।
3. इसकी (प्राप्ति x बैंडविड्थ) ज्यादा होती है।
(अ) Only 1/केवल 1 (ब) Only 2/केवल 2
(स) Only 3/केवल 3 (द) 1, 2 and 3/1, 2 और 3
Ans : (स) FET के संदर्भ में इसकी (प्राप्ति × बैडविड्थ) ज्यादा होती है असत्य है क्योंकि इसकी प्राप्ति × बैण्ड विड्थ बहुत कम होती है FET में इनपुट प्रतिबाधा उच्च होती है यह द्विवध्रुवी ट्रांजिस्टर से कम शोरकारी होती है।
8. The input gate current of FET is closer to –
FET की इनपुट गेट धारा इसके करीब होती है-
(अ) few amperes / कुछ ऐम्पियर
(ब) few milliamperes / कुछ मिलीऐम्पियर
(स) few microamperes / कुछ माइक्रोएम्पियर
(द) negligibly smaller value / नगण्य मान
Ans : (द) FET की इनपुट गेट धारा नगण्य मान के करीब होती है। FET में निगेटिव गेट ऑपरेशन तथा पॉजिटिव गेट ऑपरेशन दोनों में गेट धारा नगण्य होती है क्योंकि गेट insulated होती है। इसलिए इनपुट प्रतिरोध बहुत अधिक (लगभग 1010 से 1013 ohms) होती है।
9. The properties of JFEt~ resemble those of.
जे.एफ.ई.टी. (JFET) के गुणधर्म …….. मिलते हैं-
(अ) thermo ionic valves / तापायनिक वाल्व से
(ब) NPN transistors / NPN ट्रांजिस्टर से
(स) PNP transistors / PNP ट्रांजिस्टर से
(द) unijunction transistor
एकल जंक्शन (unijunction) ट्रांजिस्टर से
Ans : (द) JFET के गुणधर्म एकल जंक्शन (unijunction) ट्रांजिस्टर से मिलते हैं।
10. Which one of the following is the point of reference of JFET ?
निम्नलिखित में से कौन जे.एफ.ई.टी. (JFET) का संदर्भ-बिन्दु हैं?
(अ) drain / अपवाहिका (drain)
(ब) Gate / गेट
(स) Source / स्रोत
(द) No point of reference / कोई संदर्भ-बिन्दु नहीं
Ans : (स) स्रोत JFET का संदर्भ बिन्दु है N- चैनल JFET में सोर्स धनात्मक बैटरी के ऋणात्मक (-Ve) सिरे में संयोजित किया जाता है, N-type छड़ में स्रोत टर्मिनल से मेजॉरिटी कैरियर्स (इलेक्ट्रॉन) प्रवेश करते हैं। ये इलेक्ट्रॉन छड़ के दोनों ओर लगे P-type क्षेत्रों के मध्य से गुजरते हैं।
11. Which of the following is the fastest switching diode ?
निम्नलिखित में से कौन तीव्रतम स्विचिंग डायोड है?
(अ) JFET/ / जे.एफ.ई.टी.
(ब) BJT / बी.जे.टी.
(स) MOSFET / एम.ओ.एस.एफ.ई.टी.
(द) Triode / ट्रायोड
Ans : (स) MOSFET सबसे तीव्रतम स्विचिंग डायोड है।
12. A transistor has.
1. collector 2. emitter 3. base
In a PNP transistor the electron flow into the transistor at –
ट्रांजिस्टर में होता है-
1. संग्राहक 2. उत्सर्जक 3. आधार
PNP ट्रांजिस्टर में इलेक्ट्रॉन प्रवाह, ट्रांजिस्टर में कहाँ होता है?
(अ) 1 only / केवल 1 (ब) 2 only / केवल 2
(स) 1and 2/1 और 2 (द) 2 and 3/2 और 3
Ans : (द) PNP ट्रांजिस्टर में इलेक्ट्रान प्रवाह उत्सर्जक और आधार में होता है।
13. In a PNP transistor, with normal bias, the emitter junction –
सामान्य अभिनति वाले PNP ट्रांजिस्टर में, उत्सर्जक जंक्शन-
(अ) is always reverse biased
हमेशा प्रतीप अभिनत (reverse biased) होता है
(ब) ffoers a very high resistance
बहुत उच्च प्रतिरोधकता प्रदान करता है
(स) ffoers a low